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沃爾特·豪澤·布喇頓（Walter Houser Brattain，1902年2月10日－1987年10月13日），美國近代物理學家，生于中國廈門。1956年與威廉·肖克利、約翰·巴丁因晶體管的貢獻，獲得諾貝爾物理學獎。

生平

沃爾特·豪澤·布喇頓，一位晶體管的共同發(fā)明人，他的一生專心致力于u2018表面態(tài)u2019的研究，他雖然出生于中國廈門，但他是在春田市，奧勒岡州與華盛頓度過他的人生早期歲月，他成長于他的父母親羅斯·布喇頓與奧特麗·豪澤自家經(jīng)營的位于華盛頓州的養(yǎng)牛牧場，于位在瓦拉瓦拉，華盛頓的惠特曼學院獲得他的物理與數(shù)學雙學士學位，布喇頓在1924年得到此學位并在1926年于奧勒岡大學獲頒碩士學位，他接著踏上往東的路途，在1929年于明尼蘇達大學獲得他的博士學位，布喇頓的論文指導教授是約翰·泰特，他的題目是用電子撞擊水銀蒸氣以研究激發(fā)能的異?，F(xiàn)象。在1928與1929年他在位于首都華盛頓的國家標準局工作，并在1929年受雇于貝爾電話實驗室。

在第二次世界大戰(zhàn)爆發(fā)之前幾年，布喇頓在貝爾實驗室關(guān)注的首先是鎢的表面物理，隨后是氧化銅半導體的表面。第二次世界大戰(zhàn)期間布喇頓貢獻自己的時間發(fā)展偵測潛水艇的方法在與國家防衛(wèi)研究委員會的合約之下位于哥倫比亞大學。

物理生涯

戰(zhàn)后布喇頓返回貝爾實驗室加入實驗室新成立的固態(tài)部門之內(nèi)的半導體小組，威廉·蕭克萊是半導體小組的主管，早在1946年，蕭克萊初步開始研究半導體并嘗試制造一個實用的固態(tài)放大器。

純半導體的晶體（例如硅或鍺）在室溫下非常缺乏傳導載子，因為一個電子的能量十分地大于一個電子在如此的一塊晶體所能獲得的熱能量是為了占據(jù)傳導能量階層。對半導體加熱可以激發(fā)電子進入傳導狀態(tài)，但更有實用價值的是借由摻入雜質(zhì)進去晶體以增加導電度，一塊晶體可能摻雜少量的元素有比半導體更多的電子，這些過量電子將自由的在晶體內(nèi)移動穿梭，這樣的一塊晶體是一種N型半導體。一種是可能摻雜少量的元素到晶體內(nèi)有比半導體更少的電子并且電子空缺，或電洞，將自由移動穿梭于晶體就像是帶正電荷的電子，這樣一塊已摻雜的晶體是一種P型半導體。

在半導體的表面，傳導帶的能量可以被改變，將增加或減少晶體的導電度。金屬與N型或P型半導體之間的接合面或兩種類型的半導體之間有不對稱的導電性質(zhì)，并且半導體接合面可以因此被用于改變電流。在一個整流器，在低電阻方向施加電壓偏壓產(chǎn)生電流是一種順向偏壓，當偏壓于相對方向是一種反向偏壓。

在第二次世界大戰(zhàn)末期半導體整流器是已熟悉的裝置，蕭克萊希望制造一個新裝置能夠有可變的電阻并因此能當做放大器，他提議一個設(shè)計一個電場施加跨越半導體薄板的厚度，半導體的傳導性變化只借由預期數(shù)量的小部分當電場被供應，約翰巴丁建議是由于電子在半導體表面能量狀態(tài)的存在。