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胡正明（Chenming Hu，1947年7月-），出生于中國北京，畢業(yè)于美國加州大學(xué)伯克利分校，微電子學(xué)家，美國工程科學(xué)院院士，中國科學(xué)院外籍院士。其是微電子微型化物理等研究的重要開拓者，曾獲得美國最高科技獎(jiǎng)項(xiàng)國家技術(shù)和創(chuàng)新獎(jiǎng)、美國國家科學(xué)獎(jiǎng)?wù)隆?/p>

人物介紹

胡正明1947年在北京出生，先后在中國臺(tái)灣和美國的高校就讀，是微電子微型化和可靠性領(lǐng)域的主要開拓者。

胡正明是加利福尼亞大學(xué)伯克利分校電氣工程和計(jì)算機(jī)科學(xué)教授，1997年當(dāng)選美國國家工程院院士，2015年12月當(dāng)選美國國家發(fā)明家科學(xué)院院士。

個(gè)人成就

胡正明教授是微電子微型化物理及可靠性物理研究的一位重要開拓者，對半導(dǎo)體器件的開發(fā)及未來的微型化做出了重大貢獻(xiàn)。

主要科技成就為：領(lǐng)導(dǎo)研究出BSIM，從實(shí)際MOSFET晶體管的復(fù)雜物理推演出數(shù)學(xué)模型，該數(shù)學(xué)模型于1997年被國際上38家大公司參與的晶體管模型理事會(huì)選為設(shè)計(jì)芯片的第一個(gè)且唯一的國際標(biāo)準(zhǔn)；發(fā)明了在國際上極受注目的FinFET等多種新結(jié)構(gòu)器件；對微電子器件可靠性物理研究貢獻(xiàn)突出：首先提出熱電子失效的物理機(jī)制，開發(fā)出用碰撞電離電流快速預(yù)測器件壽命的方法，并且提出薄氧化層失效的物理機(jī)制和用高電壓快速預(yù)測薄氧化層壽命的方法。首創(chuàng)了在器件可靠性物理的基礎(chǔ)上的IC可靠性的計(jì)算機(jī)數(shù)值模擬工具。

1985年應(yīng)嚴(yán)東生院士邀請，胡正明等三位美國科學(xué)家提出了發(fā)展我國微電子科學(xué)技術(shù)的戰(zhàn)略性的重要咨詢建議，對當(dāng)時(shí)我國微電子科學(xué)技術(shù)的發(fā)展有較大影響。

1981年以來與電子科技大學(xué)、中國科學(xué)院微電子所、北京大學(xué)、清華大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、浙江大學(xué)等校進(jìn)行合作研究并作學(xué)術(shù)講座，協(xié)助推動(dòng)在中國召開國際會(huì)議。

1990年在北大與清華設(shè)置五名研究生獎(jiǎng)學(xué)金，并鼓勵(lì)中國留學(xué)生回國發(fā)展半導(dǎo)體工業(yè)。

克萊加大華裔教授以他領(lǐng)導(dǎo)的柏克萊加大電機(jī)系研究小組開發(fā)出了目前世界上體積最小，但是通過電流卻最大的半導(dǎo)體晶體管。這種新型的晶體管可以使1個(gè)電腦芯片的容量比從前提高400倍。

個(gè)人榮譽(yù)

國立臺(tái)灣大學(xué)電機(jī)工程學(xué)士、柏克萊加大電機(jī)及計(jì)算機(jī)碩士、博士；美國麻省理工學(xué)院電機(jī)及計(jì)算機(jī)系教授、美國國家工程院院士、柏克萊加州大學(xué)校長講座教授、TSMC杰出講座教授、國立交通大學(xué)名譽(yù)教授、IEEE Fellow、北京清華大學(xué)名譽(yù)教授、中華民國國科會(huì)第一屆杰出講座、柏克萊加州大學(xué)杰出教學(xué)獎(jiǎng)等。

胡正明在學(xué)術(shù)領(lǐng)域?qū)覄?chuàng)高峰，在電晶體尺寸及性能研發(fā)上屢次創(chuàng)新世界紀(jì)錄，也為積體電路設(shè)計(jì)訂定出第一個(gè)國際標(biāo)準(zhǔn)電晶體模型。他擁有美國專利逾百項(xiàng)，期刊及會(huì)議文獻(xiàn)發(fā)表約八百件。

2015年12月22日，美國白宮公布了2015年度美國最高科技獎(jiǎng)項(xiàng)獲得者名單，美籍華人科學(xué)家胡正明獲得國家技術(shù)和創(chuàng)新獎(jiǎng)獲。

2016年5月，胡正明獲美國國家科學(xué)獎(jiǎng)?wù)拢绹偨y(tǒng)奧巴馬在白宮為獲獎(jiǎng)?wù)哳C發(fā)美國國家科學(xué)獎(jiǎng)?wù)隆?